SQD07N25-350H_GE3
MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Artikelnummer
SQD07N25-350H_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
-
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
TO-252AA
Effektförlust (max)
71W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
250V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1205pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7872 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQD07N25-350H_GE3
SQD07N25-350H_GE3 Elektroniska komponenter
SQD07N25-350H_GE3 Försäljning
SQD07N25-350H_GE3 Leverantör
SQD07N25-350H_GE3 Distributör
SQD07N25-350H_GE3 Datatabell
SQD07N25-350H_GE3 Foton
SQD07N25-350H_GE3 Pris
SQD07N25-350H_GE3 Erbjudande
SQD07N25-350H_GE3 Lägsta pris
SQD07N25-350H_GE3 Sök
SQD07N25-350H_GE3 Köp av
SQD07N25-350H_GE3 Chip