SQ4850EY-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Artikelnummer
SQ4850EY-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
6.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17799 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQ4850EY-T1_GE3
SQ4850EY-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQ4850EY-T1_GE3 Försäljning
SQ4850EY-T1_GE3 Leverantör
SQ4850EY-T1_GE3 Distributör
SQ4850EY-T1_GE3 Datatabell
SQ4850EY-T1_GE3 Foton
SQ4850EY-T1_GE3 Pris
SQ4850EY-T1_GE3 Erbjudande
SQ4850EY-T1_GE3 Lägsta pris
SQ4850EY-T1_GE3 Sök
SQ4850EY-T1_GE3 Köp av
SQ4850EY-T1_GE3 Chip