SQ2310ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
Artikelnummer
SQ2310ES-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236
Effektförlust (max)
2W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
485pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39149 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQ2310ES-T1_GE3
SQ2310ES-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQ2310ES-T1_GE3 Försäljning
SQ2310ES-T1_GE3 Leverantör
SQ2310ES-T1_GE3 Distributör
SQ2310ES-T1_GE3 Datatabell
SQ2310ES-T1_GE3 Foton
SQ2310ES-T1_GE3 Pris
SQ2310ES-T1_GE3 Erbjudande
SQ2310ES-T1_GE3 Lägsta pris
SQ2310ES-T1_GE3 Sök
SQ2310ES-T1_GE3 Köp av
SQ2310ES-T1_GE3 Chip