SQ2303ES-T1_GE3
MOSFET P-CHAN 30V SOT23
Artikelnummer
SQ2303ES-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236 (SOT-23)
Effektförlust (max)
1.9W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45004 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQ2303ES-T1_GE3
SQ2303ES-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQ2303ES-T1_GE3 Försäljning
SQ2303ES-T1_GE3 Leverantör
SQ2303ES-T1_GE3 Distributör
SQ2303ES-T1_GE3 Datatabell
SQ2303ES-T1_GE3 Foton
SQ2303ES-T1_GE3 Pris
SQ2303ES-T1_GE3 Erbjudande
SQ2303ES-T1_GE3 Lägsta pris
SQ2303ES-T1_GE3 Sök
SQ2303ES-T1_GE3 Köp av
SQ2303ES-T1_GE3 Chip