SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Artikelnummer
SIZ200DT-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerWDFN
Effekt - Max
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Leverantörsenhetspaket
8-PowerPair® (3.3x3.3)
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24914 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIZ200DT-T1-GE3
SIZ200DT-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIZ200DT-T1-GE3 Försäljning
SIZ200DT-T1-GE3 Leverantör
SIZ200DT-T1-GE3 Distributör
SIZ200DT-T1-GE3 Datatabell
SIZ200DT-T1-GE3 Foton
SIZ200DT-T1-GE3 Pris
SIZ200DT-T1-GE3 Erbjudande
SIZ200DT-T1-GE3 Lägsta pris
SIZ200DT-T1-GE3 Sök
SIZ200DT-T1-GE3 Köp av
SIZ200DT-T1-GE3 Chip