SISS72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V
Artikelnummer
SISS72DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8S
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8S
Effektförlust (max)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Ta), 25.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550pF @ 75V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16731 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISS72DN-T1-GE3
SISS72DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISS72DN-T1-GE3 Försäljning
SISS72DN-T1-GE3 Leverantör
SISS72DN-T1-GE3 Distributör
SISS72DN-T1-GE3 Datatabell
SISS72DN-T1-GE3 Foton
SISS72DN-T1-GE3 Pris
SISS72DN-T1-GE3 Erbjudande
SISS72DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISS72DN-T1-GE3 Sök
SISS72DN-T1-GE3 Köp av
SISS72DN-T1-GE3 Chip