SISS06DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Artikelnummer
SISS06DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8S
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8S
Effektförlust (max)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3660pF @ 15V
Vgs (max)
+20V, -16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49324 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISS06DN-T1-GE3
SISS06DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISS06DN-T1-GE3 Försäljning
SISS06DN-T1-GE3 Leverantör
SISS06DN-T1-GE3 Distributör
SISS06DN-T1-GE3 Datatabell
SISS06DN-T1-GE3 Foton
SISS06DN-T1-GE3 Pris
SISS06DN-T1-GE3 Erbjudande
SISS06DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISS06DN-T1-GE3 Sök
SISS06DN-T1-GE3 Köp av
SISS06DN-T1-GE3 Chip