köpa Vishay Siliconix SISS70DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 125V

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SISS70DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V

Artikelnummer

SISS70DN-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET®

Sektionsstatus

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

PowerPAK® 1212-8S

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® 1212-8S

Effektförlust (max)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

FET typ

N-Channel

Dränera till spänningskälla (Vdss)

125V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

8.5A (Ta), 31A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

29.8 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 62.5V

Vgs (max)

±20V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 26472 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3