köpa Vishay Siliconix SISS27DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SISS27DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S

Artikelnummer

SISS27DN-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET®

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

8-PowerVDFN

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Effektförlust (max)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

FET typ

P-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

30V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

5.6 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

5250pF @ 15V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 29742 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3