SISS26DN-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S
Artikelnummer
SISS26DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8S
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Effektförlust (max)
57W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14171 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISS26DN-T1-GE3
SISS26DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISS26DN-T1-GE3 Försäljning
SISS26DN-T1-GE3 Leverantör
SISS26DN-T1-GE3 Distributör
SISS26DN-T1-GE3 Datatabell
SISS26DN-T1-GE3 Foton
SISS26DN-T1-GE3 Pris
SISS26DN-T1-GE3 Erbjudande
SISS26DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISS26DN-T1-GE3 Sök
SISS26DN-T1-GE3 Köp av
SISS26DN-T1-GE3 Chip