SISS23DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Artikelnummer
SISS23DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerVDFN
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 57W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8840pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10937 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISS23DN-T1-GE3 Försäljning
SISS23DN-T1-GE3 Leverantör
SISS23DN-T1-GE3 Distributör
SISS23DN-T1-GE3 Datatabell
SISS23DN-T1-GE3 Foton
SISS23DN-T1-GE3 Pris
SISS23DN-T1-GE3 Erbjudande
SISS23DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISS23DN-T1-GE3 Sök
SISS23DN-T1-GE3 Köp av
SISS23DN-T1-GE3 Chip