SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Artikelnummer
SISH410DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8SH
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8SH
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
22A (Ta), 35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 10V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49414 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISH410DN-T1-GE3 Försäljning
SISH410DN-T1-GE3 Leverantör
SISH410DN-T1-GE3 Distributör
SISH410DN-T1-GE3 Datatabell
SISH410DN-T1-GE3 Foton
SISH410DN-T1-GE3 Pris
SISH410DN-T1-GE3 Erbjudande
SISH410DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISH410DN-T1-GE3 Sök
SISH410DN-T1-GE3 Köp av
SISH410DN-T1-GE3 Chip