SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK
Artikelnummer
SISH112DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8SH
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8SH
Effektförlust (max)
1.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2610pF @ 15V
Vgs (max)
±12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13451 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISH112DN-T1-GE3
SISH112DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISH112DN-T1-GE3 Försäljning
SISH112DN-T1-GE3 Leverantör
SISH112DN-T1-GE3 Distributör
SISH112DN-T1-GE3 Datatabell
SISH112DN-T1-GE3 Foton
SISH112DN-T1-GE3 Pris
SISH112DN-T1-GE3 Erbjudande
SISH112DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISH112DN-T1-GE3 Sök
SISH112DN-T1-GE3 Köp av
SISH112DN-T1-GE3 Chip