SISF00DN-T1-GE3
MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Artikelnummer
SISF00DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8SCD
Effekt - Max
69.4W (Tc)
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8SCD
FET typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45645 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISF00DN-T1-GE3 Försäljning
SISF00DN-T1-GE3 Leverantör
SISF00DN-T1-GE3 Distributör
SISF00DN-T1-GE3 Datatabell
SISF00DN-T1-GE3 Foton
SISF00DN-T1-GE3 Pris
SISF00DN-T1-GE3 Erbjudande
SISF00DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISF00DN-T1-GE3 Sök
SISF00DN-T1-GE3 Köp av
SISF00DN-T1-GE3 Chip