SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
Artikelnummer
SISC06DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 46.3W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
27.6A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2455pF @ 15V
Vgs (max)
+20V, -16V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42225 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISC06DN-T1-GE3
SISC06DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISC06DN-T1-GE3 Försäljning
SISC06DN-T1-GE3 Leverantör
SISC06DN-T1-GE3 Distributör
SISC06DN-T1-GE3 Datatabell
SISC06DN-T1-GE3 Foton
SISC06DN-T1-GE3 Pris
SISC06DN-T1-GE3 Erbjudande
SISC06DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISC06DN-T1-GE3 Sök
SISC06DN-T1-GE3 Köp av
SISC06DN-T1-GE3 Chip