SISB46DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
Artikelnummer
SISB46DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Max
23W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.71 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12316 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SISB46DN-T1-GE3
SISB46DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SISB46DN-T1-GE3 Försäljning
SISB46DN-T1-GE3 Leverantör
SISB46DN-T1-GE3 Distributör
SISB46DN-T1-GE3 Datatabell
SISB46DN-T1-GE3 Foton
SISB46DN-T1-GE3 Pris
SISB46DN-T1-GE3 Erbjudande
SISB46DN-T1-GE3 Lägsta pris
SISB46DN-T1-GE3 Sök
SISB46DN-T1-GE3 Köp av
SISB46DN-T1-GE3 Chip