SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Artikelnummer
SIS892DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
611pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39381 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIS892DN-T1-GE3 Försäljning
SIS892DN-T1-GE3 Leverantör
SIS892DN-T1-GE3 Distributör
SIS892DN-T1-GE3 Datatabell
SIS892DN-T1-GE3 Foton
SIS892DN-T1-GE3 Pris
SIS892DN-T1-GE3 Erbjudande
SIS892DN-T1-GE3 Lägsta pris
SIS892DN-T1-GE3 Sök
SIS892DN-T1-GE3 Köp av
SIS892DN-T1-GE3 Chip