SIS888DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S
Artikelnummer
SIS888DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
ThunderFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TA)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8S
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
420pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13230 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIS888DN-T1-GE3
SIS888DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIS888DN-T1-GE3 Försäljning
SIS888DN-T1-GE3 Leverantör
SIS888DN-T1-GE3 Distributör
SIS888DN-T1-GE3 Datatabell
SIS888DN-T1-GE3 Foton
SIS888DN-T1-GE3 Pris
SIS888DN-T1-GE3 Erbjudande
SIS888DN-T1-GE3 Lägsta pris
SIS888DN-T1-GE3 Sök
SIS888DN-T1-GE3 Köp av
SIS888DN-T1-GE3 Chip