köpa Vishay Siliconix SIS778DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Artikelnummer

SIS778DN-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

Sektionsstatus

Last Time Buy

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

PowerPAK® 1212-8

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® 1212-8

Effektförlust (max)

52W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Schottky Diode (Body)

Dränera till spänningskälla (Vdss)

30V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

42.5nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1390pF @ 15V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

Vgs (max)

±20V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 30824 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SIS776DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS776DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Vishay Siliconix

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Vishay Siliconix

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Vishay Siliconix

SIS778DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

Vishay Siliconix

SIS780DN-T1-GE3