SIS606BDN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Artikelnummer
SIS606BDN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1470pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31817 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIS606BDN-T1-GE3
SIS606BDN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIS606BDN-T1-GE3 Försäljning
SIS606BDN-T1-GE3 Leverantör
SIS606BDN-T1-GE3 Distributör
SIS606BDN-T1-GE3 Datatabell
SIS606BDN-T1-GE3 Foton
SIS606BDN-T1-GE3 Pris
SIS606BDN-T1-GE3 Erbjudande
SIS606BDN-T1-GE3 Lägsta pris
SIS606BDN-T1-GE3 Sök
SIS606BDN-T1-GE3 Köp av
SIS606BDN-T1-GE3 Chip