SIS414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
Artikelnummer
SIS414DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
3.4W (Ta), 31W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
795pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51908 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIS414DN-T1-GE3
SIS414DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIS414DN-T1-GE3 Försäljning
SIS414DN-T1-GE3 Leverantör
SIS414DN-T1-GE3 Distributör
SIS414DN-T1-GE3 Datatabell
SIS414DN-T1-GE3 Foton
SIS414DN-T1-GE3 Pris
SIS414DN-T1-GE3 Erbjudande
SIS414DN-T1-GE3 Lägsta pris
SIS414DN-T1-GE3 Sök
SIS414DN-T1-GE3 Köp av
SIS414DN-T1-GE3 Chip