SIS406DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK
Artikelnummer
SIS406DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33651 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIS406DN-T1-GE3
SIS406DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIS406DN-T1-GE3 Försäljning
SIS406DN-T1-GE3 Leverantör
SIS406DN-T1-GE3 Distributör
SIS406DN-T1-GE3 Datatabell
SIS406DN-T1-GE3 Foton
SIS406DN-T1-GE3 Pris
SIS406DN-T1-GE3 Erbjudande
SIS406DN-T1-GE3 Lägsta pris
SIS406DN-T1-GE3 Sök
SIS406DN-T1-GE3 Köp av
SIS406DN-T1-GE3 Chip