SIRB40DP-T1-GE3
MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Artikelnummer
SIRB40DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Max
46.2W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8 Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4290pF @ 20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15629 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIRB40DP-T1-GE3 Försäljning
SIRB40DP-T1-GE3 Leverantör
SIRB40DP-T1-GE3 Distributör
SIRB40DP-T1-GE3 Datatabell
SIRB40DP-T1-GE3 Foton
SIRB40DP-T1-GE3 Pris
SIRB40DP-T1-GE3 Erbjudande
SIRB40DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIRB40DP-T1-GE3 Sök
SIRB40DP-T1-GE3 Köp av
SIRB40DP-T1-GE3 Chip