SIJA52DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8L
Artikelnummer
SIJA52DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
48W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7150pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
+20V, -16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51855 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIJA52DP-T1-GE3
SIJA52DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIJA52DP-T1-GE3 Försäljning
SIJA52DP-T1-GE3 Leverantör
SIJA52DP-T1-GE3 Distributör
SIJA52DP-T1-GE3 Datatabell
SIJA52DP-T1-GE3 Foton
SIJA52DP-T1-GE3 Pris
SIJA52DP-T1-GE3 Erbjudande
SIJA52DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIJA52DP-T1-GE3 Sök
SIJA52DP-T1-GE3 Köp av
SIJA52DP-T1-GE3 Chip