SIJ494DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 36.8A SO-8
Artikelnummer
SIJ494DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
ThunderFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
69.4W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
36.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
23.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1070pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28172 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIJ494DP-T1-GE3
SIJ494DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIJ494DP-T1-GE3 Försäljning
SIJ494DP-T1-GE3 Leverantör
SIJ494DP-T1-GE3 Distributör
SIJ494DP-T1-GE3 Datatabell
SIJ494DP-T1-GE3 Foton
SIJ494DP-T1-GE3 Pris
SIJ494DP-T1-GE3 Erbjudande
SIJ494DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIJ494DP-T1-GE3 Sök
SIJ494DP-T1-GE3 Köp av
SIJ494DP-T1-GE3 Chip