SIJ420DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Artikelnummer
SIJ420DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3630pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 26192 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIJ420DP-T1-GE3
SIJ420DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIJ420DP-T1-GE3 Försäljning
SIJ420DP-T1-GE3 Leverantör
SIJ420DP-T1-GE3 Distributör
SIJ420DP-T1-GE3 Datatabell
SIJ420DP-T1-GE3 Foton
SIJ420DP-T1-GE3 Pris
SIJ420DP-T1-GE3 Erbjudande
SIJ420DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIJ420DP-T1-GE3 Sök
SIJ420DP-T1-GE3 Köp av
SIJ420DP-T1-GE3 Chip