SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
Artikelnummer
SIJ186DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5W (Ta), 57W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23A (Ta), 79.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 30V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34021 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIJ186DP-T1-GE3
SIJ186DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIJ186DP-T1-GE3 Försäljning
SIJ186DP-T1-GE3 Leverantör
SIJ186DP-T1-GE3 Distributör
SIJ186DP-T1-GE3 Datatabell
SIJ186DP-T1-GE3 Foton
SIJ186DP-T1-GE3 Pris
SIJ186DP-T1-GE3 Erbjudande
SIJ186DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIJ186DP-T1-GE3 Sök
SIJ186DP-T1-GE3 Köp av
SIJ186DP-T1-GE3 Chip