SIHP15N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
Artikelnummer
SIHP15N65E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
34W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50320 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHP15N65E-GE3
SIHP15N65E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHP15N65E-GE3 Försäljning
SIHP15N65E-GE3 Leverantör
SIHP15N65E-GE3 Distributör
SIHP15N65E-GE3 Datatabell
SIHP15N65E-GE3 Foton
SIHP15N65E-GE3 Pris
SIHP15N65E-GE3 Erbjudande
SIHP15N65E-GE3 Lägsta pris
SIHP15N65E-GE3 Sök
SIHP15N65E-GE3 Köp av
SIHP15N65E-GE3 Chip