SIHP12N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
Artikelnummer
SIHP12N50C-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
555 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1375pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32184 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHP12N50C-E3
SIHP12N50C-E3 Elektroniska komponenter
SIHP12N50C-E3 Försäljning
SIHP12N50C-E3 Leverantör
SIHP12N50C-E3 Distributör
SIHP12N50C-E3 Datatabell
SIHP12N50C-E3 Foton
SIHP12N50C-E3 Pris
SIHP12N50C-E3 Erbjudande
SIHP12N50C-E3 Lägsta pris
SIHP12N50C-E3 Sök
SIHP12N50C-E3 Köp av
SIHP12N50C-E3 Chip