Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
Artikelnummer
SIHH14N65E-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 8 x 8
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1712pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36266 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIHH14N65E-T1-GE3
SIHH14N65E-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIHH14N65E-T1-GE3 Försäljning
SIHH14N65E-T1-GE3 Leverantör
SIHH14N65E-T1-GE3 Distributör
SIHH14N65E-T1-GE3 Datatabell
SIHH14N65E-T1-GE3 Foton
SIHH14N65E-T1-GE3 Pris
SIHH14N65E-T1-GE3 Erbjudande
SIHH14N65E-T1-GE3 Lägsta pris
SIHH14N65E-T1-GE3 Sök
SIHH14N65E-T1-GE3 Köp av
SIHH14N65E-T1-GE3 Chip