SIHH11N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
Artikelnummer
SIHH11N60EF-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 8 x 8
Effektförlust (max)
114W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
357 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1078pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51114 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHH11N60EF-T1-GE3
SIHH11N60EF-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIHH11N60EF-T1-GE3 Försäljning
SIHH11N60EF-T1-GE3 Leverantör
SIHH11N60EF-T1-GE3 Distributör
SIHH11N60EF-T1-GE3 Datatabell
SIHH11N60EF-T1-GE3 Foton
SIHH11N60EF-T1-GE3 Pris
SIHH11N60EF-T1-GE3 Erbjudande
SIHH11N60EF-T1-GE3 Lägsta pris
SIHH11N60EF-T1-GE3 Sök
SIHH11N60EF-T1-GE3 Köp av
SIHH11N60EF-T1-GE3 Chip