köpa Vishay Siliconix SIHH120N60E-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

SIHH120N60E-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 600V PPAK 8X8

Artikelnummer

SIHH120N60E-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

Sektionsstatus

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

8-PowerTDFN

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® 8 x 8

Effektförlust (max)

156W (Tc)

FET typ

N-Channel

Dränera till spänningskälla (Vdss)

600V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

24A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 100V

Vgs (max)

±30V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 14935 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix

SIHH100N60E-T1-GE3

MOSFET E SERIES 600V POWERPAK 8X

Vishay Siliconix