SIHFB20N50K-E3
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Artikelnummer
SIHFB20N50K-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
280W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2870pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47462 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHFB20N50K-E3
SIHFB20N50K-E3 Elektroniska komponenter
SIHFB20N50K-E3 Försäljning
SIHFB20N50K-E3 Leverantör
SIHFB20N50K-E3 Distributör
SIHFB20N50K-E3 Datatabell
SIHFB20N50K-E3 Foton
SIHFB20N50K-E3 Pris
SIHFB20N50K-E3 Erbjudande
SIHFB20N50K-E3 Lägsta pris
SIHFB20N50K-E3 Sök
SIHFB20N50K-E3 Köp av
SIHFB20N50K-E3 Chip