SIHF12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Artikelnummer
SIHF12N65E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Bulk
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220 Full Pack
Effektförlust (max)
33W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1224pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32277 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHF12N65E-GE3
SIHF12N65E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHF12N65E-GE3 Försäljning
SIHF12N65E-GE3 Leverantör
SIHF12N65E-GE3 Distributör
SIHF12N65E-GE3 Datatabell
SIHF12N65E-GE3 Foton
SIHF12N65E-GE3 Pris
SIHF12N65E-GE3 Erbjudande
SIHF12N65E-GE3 Lägsta pris
SIHF12N65E-GE3 Sök
SIHF12N65E-GE3 Köp av
SIHF12N65E-GE3 Chip