SIHA12N50E-E3
MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220FP
Artikelnummer
SIHA12N50E-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220 Full Pack
Effektförlust (max)
32W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
886pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5963 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHA12N50E-E3
SIHA12N50E-E3 Elektroniska komponenter
SIHA12N50E-E3 Försäljning
SIHA12N50E-E3 Leverantör
SIHA12N50E-E3 Distributör
SIHA12N50E-E3 Datatabell
SIHA12N50E-E3 Foton
SIHA12N50E-E3 Pris
SIHA12N50E-E3 Erbjudande
SIHA12N50E-E3 Lägsta pris
SIHA12N50E-E3 Sök
SIHA12N50E-E3 Köp av
SIHA12N50E-E3 Chip