Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIE860DF-T1-E3

SIE860DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Artikelnummer
SIE860DF-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
10-PolarPAK® (M)
Leverantörsenhetspaket
10-PolarPAK® (M)
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.1 mOhm @ 21.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35432 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIE860DF-T1-E3
SIE860DF-T1-E3 Elektroniska komponenter
SIE860DF-T1-E3 Försäljning
SIE860DF-T1-E3 Leverantör
SIE860DF-T1-E3 Distributör
SIE860DF-T1-E3 Datatabell
SIE860DF-T1-E3 Foton
SIE860DF-T1-E3 Pris
SIE860DF-T1-E3 Erbjudande
SIE860DF-T1-E3 Lägsta pris
SIE860DF-T1-E3 Sök
SIE860DF-T1-E3 Köp av
SIE860DF-T1-E3 Chip