SIE800DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
Artikelnummer
SIE800DF-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
10-PolarPAK® (S)
Leverantörsenhetspaket
10-PolarPAK® (S)
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25450 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIE800DF-T1-E3
SIE800DF-T1-E3 Elektroniska komponenter
SIE800DF-T1-E3 Försäljning
SIE800DF-T1-E3 Leverantör
SIE800DF-T1-E3 Distributör
SIE800DF-T1-E3 Datatabell
SIE800DF-T1-E3 Foton
SIE800DF-T1-E3 Pris
SIE800DF-T1-E3 Erbjudande
SIE800DF-T1-E3 Lägsta pris
SIE800DF-T1-E3 Sök
SIE800DF-T1-E3 Köp av
SIE800DF-T1-E3 Chip