köpa Vishay Siliconix SIE836DF-T1-E3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Artikelnummer

SIE836DF-T1-E3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET®

Sektionsstatus

Obsolete

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

10-PolarPAK® (SH)

Leverantörsenhetspaket

10-PolarPAK® (SH)

Effektförlust (max)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

200V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

18.3A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 100V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

Vgs (max)

±30V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 39607 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter