köpa Vishay Siliconix SIE820DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Artikelnummer

SIE820DF-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET®

Sektionsstatus

Obsolete

Förpackning

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

10-PolarPAK® (S)

Leverantörsenhetspaket

10-PolarPAK® (S)

Effektförlust (max)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 10V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

2.5V, 4.5V

Vgs (max)

±12V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 39267 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SIE800DF-T1-E3