köpa Vishay Siliconix SIE810DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SIE810DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 60A POLARPAK

Artikelnummer

SIE810DF-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET®

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

10-PolarPAK® (L)

Leverantörsenhetspaket

10-PolarPAK® (L)

Effektförlust (max)

5.2W (Ta), 125W (Tc)

FET typ

N-Channel

FET-funktioner

Dränera till spänningskälla (Vdss)

20V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

1.4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

13000pF @ 10V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

2.5V, 10V

Vgs (max)

±12V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 50476 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter