SIE726DF-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Artikelnummer
SIE726DF-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
SkyFET®, TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
10-PolarPAK® (L)
Leverantörsenhetspaket
10-PolarPAK® (L)
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7400pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23104 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIE726DF-T1-E3
SIE726DF-T1-E3 Elektroniska komponenter
SIE726DF-T1-E3 Försäljning
SIE726DF-T1-E3 Leverantör
SIE726DF-T1-E3 Distributör
SIE726DF-T1-E3 Datatabell
SIE726DF-T1-E3 Foton
SIE726DF-T1-E3 Pris
SIE726DF-T1-E3 Erbjudande
SIE726DF-T1-E3 Lägsta pris
SIE726DF-T1-E3 Sök
SIE726DF-T1-E3 Köp av
SIE726DF-T1-E3 Chip