SIB900EDK-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Artikelnummer
SIB900EDK-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Effekt - Max
3.1W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-75-6L Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53998 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIB900EDK-T1-GE3
SIB900EDK-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIB900EDK-T1-GE3 Försäljning
SIB900EDK-T1-GE3 Leverantör
SIB900EDK-T1-GE3 Distributör
SIB900EDK-T1-GE3 Datatabell
SIB900EDK-T1-GE3 Foton
SIB900EDK-T1-GE3 Pris
SIB900EDK-T1-GE3 Erbjudande
SIB900EDK-T1-GE3 Lägsta pris
SIB900EDK-T1-GE3 Sök
SIB900EDK-T1-GE3 Köp av
SIB900EDK-T1-GE3 Chip