Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIAA40DJ-T1-GE3

SIAA40DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 30A SC70-6
Artikelnummer
SIAA40DJ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-70-6 Single
Effektförlust (max)
19.2W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
+20V, -16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49158 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIAA40DJ-T1-GE3
SIAA40DJ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIAA40DJ-T1-GE3 Försäljning
SIAA40DJ-T1-GE3 Leverantör
SIAA40DJ-T1-GE3 Distributör
SIAA40DJ-T1-GE3 Datatabell
SIAA40DJ-T1-GE3 Foton
SIAA40DJ-T1-GE3 Pris
SIAA40DJ-T1-GE3 Erbjudande
SIAA40DJ-T1-GE3 Lägsta pris
SIAA40DJ-T1-GE3 Sök
SIAA40DJ-T1-GE3 Köp av
SIAA40DJ-T1-GE3 Chip