Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIA921EDJ-T1-GE3

SIA921EDJ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Artikelnummer
SIA921EDJ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Effekt - Max
7.8W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-70-6 Dual
FET typ
2 P-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15522 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIA921EDJ-T1-GE3
SIA921EDJ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIA921EDJ-T1-GE3 Försäljning
SIA921EDJ-T1-GE3 Leverantör
SIA921EDJ-T1-GE3 Distributör
SIA921EDJ-T1-GE3 Datatabell
SIA921EDJ-T1-GE3 Foton
SIA921EDJ-T1-GE3 Pris
SIA921EDJ-T1-GE3 Erbjudande
SIA921EDJ-T1-GE3 Lägsta pris
SIA921EDJ-T1-GE3 Sök
SIA921EDJ-T1-GE3 Köp av
SIA921EDJ-T1-GE3 Chip