Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIA910EDJ-T1-GE3

SIA910EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC-70-6
Artikelnummer
SIA910EDJ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Effekt - Max
7.8W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-70-6 Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
455pF @ 6V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38612 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIA910EDJ-T1-GE3
SIA910EDJ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIA910EDJ-T1-GE3 Försäljning
SIA910EDJ-T1-GE3 Leverantör
SIA910EDJ-T1-GE3 Distributör
SIA910EDJ-T1-GE3 Datatabell
SIA910EDJ-T1-GE3 Foton
SIA910EDJ-T1-GE3 Pris
SIA910EDJ-T1-GE3 Erbjudande
SIA910EDJ-T1-GE3 Lägsta pris
SIA910EDJ-T1-GE3 Sök
SIA910EDJ-T1-GE3 Köp av
SIA910EDJ-T1-GE3 Chip