SI8900EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Artikelnummer
SI8900EDB-T2-E1
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
10-UFBGA, CSPBGA
Effekt - Max
1W
Leverantörsenhetspaket
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
FET typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1.1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20646 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI8900EDB-T2-E1
SI8900EDB-T2-E1 Elektroniska komponenter
SI8900EDB-T2-E1 Försäljning
SI8900EDB-T2-E1 Leverantör
SI8900EDB-T2-E1 Distributör
SI8900EDB-T2-E1 Datatabell
SI8900EDB-T2-E1 Foton
SI8900EDB-T2-E1 Pris
SI8900EDB-T2-E1 Erbjudande
SI8900EDB-T2-E1 Lägsta pris
SI8900EDB-T2-E1 Sök
SI8900EDB-T2-E1 Köp av
SI8900EDB-T2-E1 Chip