SI7994DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Artikelnummer
SI7994DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Max
46W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8 Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13514 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7994DP-T1-GE3
SI7994DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI7994DP-T1-GE3 Försäljning
SI7994DP-T1-GE3 Leverantör
SI7994DP-T1-GE3 Distributör
SI7994DP-T1-GE3 Datatabell
SI7994DP-T1-GE3 Foton
SI7994DP-T1-GE3 Pris
SI7994DP-T1-GE3 Erbjudande
SI7994DP-T1-GE3 Lägsta pris
SI7994DP-T1-GE3 Sök
SI7994DP-T1-GE3 Köp av
SI7994DP-T1-GE3 Chip