Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
Artikelnummer
SI7901EDN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Max
1.3W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET typ
2 P-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 800µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11497 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SI7901EDN-T1-GE3
SI7901EDN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI7901EDN-T1-GE3 Försäljning
SI7901EDN-T1-GE3 Leverantör
SI7901EDN-T1-GE3 Distributör
SI7901EDN-T1-GE3 Datatabell
SI7901EDN-T1-GE3 Foton
SI7901EDN-T1-GE3 Pris
SI7901EDN-T1-GE3 Erbjudande
SI7901EDN-T1-GE3 Lägsta pris
SI7901EDN-T1-GE3 Sök
SI7901EDN-T1-GE3 Köp av
SI7901EDN-T1-GE3 Chip