SI7922DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Artikelnummer
SI7922DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Max
1.3W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.8A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47145 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7922DN-T1-GE3
SI7922DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI7922DN-T1-GE3 Försäljning
SI7922DN-T1-GE3 Leverantör
SI7922DN-T1-GE3 Distributör
SI7922DN-T1-GE3 Datatabell
SI7922DN-T1-GE3 Foton
SI7922DN-T1-GE3 Pris
SI7922DN-T1-GE3 Erbjudande
SI7922DN-T1-GE3 Lägsta pris
SI7922DN-T1-GE3 Sök
SI7922DN-T1-GE3 Köp av
SI7922DN-T1-GE3 Chip