SI7703EDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Artikelnummer
SI7703EDN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 800µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52198 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7703EDN-T1-GE3
SI7703EDN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI7703EDN-T1-GE3 Försäljning
SI7703EDN-T1-GE3 Leverantör
SI7703EDN-T1-GE3 Distributör
SI7703EDN-T1-GE3 Datatabell
SI7703EDN-T1-GE3 Foton
SI7703EDN-T1-GE3 Pris
SI7703EDN-T1-GE3 Erbjudande
SI7703EDN-T1-GE3 Lägsta pris
SI7703EDN-T1-GE3 Sök
SI7703EDN-T1-GE3 Köp av
SI7703EDN-T1-GE3 Chip